넥서스비 150억 시리즈C 분석: 반도체 미세공정이 ALD 장비 스타트업을 키우는 이유
투자 정보
💡 핵심요약
원자층 박막증착(ALD) 장비 전문기업 넥서스비(대표 최학영)가 2026년 6월 18일 총 150억원 규모의 시리즈C 투자 유치를 완료했다. 기존 투자사인 안다아시아벤처스가 후속 투자에 참여했고, 신영증권, 티인베스트먼트, 플래티넘기술투자, IBK기업은행이 신규로 합류했다. 2025년에 납입된 산업은행·산은캐피탈의 자금을 포함한 최종 클로징이다.
넥서스비는 2015년 설립됐다. 창업자 최학영 대표는 한양대 전형탁 교수 연구실 출신으로 SK하이닉스, 매그나칩, LIG인베니아에서 반도체 공정·장비 경력을 쌓은 뒤 창업했다. 전북 전주에서 출발한 연구소기업이 용인·화성에 생산시설을 갖추기까지 10년이 걸렸다.
핵심 기술은 공간분할(Space Divided) ALD다. 기존 시간분할 방식이 가스 주입과 배기를 교대로 반복해 속도가 느린 것과 달리, 넥서스비의 공간분할 방식은 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리해 기판을 연속으로 이동시키며 증착한다. 생산성 한계를 극복한 이 기술이 국내외 80여 개 대학·연구기관에 장비를 공급하는 기반이 됐다.
성장 축이 세 가지다. 반도체 ALD 장비(3D 낸드·차세대 D램·첨단 패키징·실리콘 커패시터), 페로브스카이트 태양전지 ALD 장비, 그리고 HBM·AI 반도체용 실리콘 커패시터 공정 장비다. 현재 글로벌 장비업체 1곳과 클러스터형 차세대 장비를 공동 개발 중으로, 2028년 양산 공급을 목표로 한다.
투자 개요
기본 정보
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 회사명 | 넥서스비 (NexusBe) |
| 대표자 | 최학영 (한양대 전형탁 교수 연구실, 전 SK하이닉스·매그나칩·LIG인베니아) |
| 설립 | 2015년 (전북특구본부 연구소기업 출신) |
| 생산시설 | 용인·화성 |
| 핵심 기술 | 공간분할 ALD, 시분할 ALD, 상압 R2R ALD 등 원천 ALD 기술 포트폴리오 |
| 주요 제품 | Plaminar(연구용), T-Max(반도체용), S-Max(대면적 디스플레이·태양전지용) |
이번 투자 라운드
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 발표 시기 | 2026년 6월 18일 |
| 투자 라운드 | 시리즈C |
| 투자 금액 | 150억원 |
| 구성 | 산업은행·산은캐피탈(2025년 납입분) + 신규 투자자(2026년 클로징) |
투자 기관
기존 투자사 후속
- 안다아시아벤처스
신규 투자자
- 신영증권
- 티인베스트먼트
- 플래티넘기술투자
- IBK기업은행
2025년 선납입(포함)
- 산업은행, 산은캐피탈
투자 히스토리
| 시기 | 라운드 | 금액 | 주요 투자사 |
|---|---|---|---|
| 2021년 이전 | 초기 | — | 과학기술인공제회 등 초기 투자 |
| 2023년 | 시리즈A | 약 30억원 | 과학기술인공제회, 유비쿼스인베스트먼트, 안다아시아벤처스 |
| 2024년 | 시리즈B | 약 100억원 | 스틱벤처스, L&S벤처캐피탈, 스마일게이트인베스트먼트, 인라이트벤처스, 쿨리지코너인베스트먼트, 신용보증기금, 바인벤처스 |
| 2026년 6월 | 시리즈C | 150억원 | 산업은행·산은캐피탈, 안다아시아벤처스, 신영증권, 티인베스트먼트, 플래티넘기술투자, IBK기업은행 |
비즈니스 모델 & 수익구조
배경: 반도체가 작아질수록 ALD가 커진다
반도체는 계속 작아지고 있다. 1970년대 수십 마이크로미터(㎛) 수준이던 회로 선폭이 지금은 3나노미터(nm) 이하다. 손톱 하나 크기 칩 안에 수백억 개의 트랜지스터가 들어간다.
이 미세화 경쟁에서 박막(薄膜) 공정의 정밀도 요구가 극도로 높아졌다. 회로 선폭이 10nm 이하로 내려가면 기존 화학기상증착(CVD) 방식으로는 균일하고 얇은 박막을 형성하기 어렵다. 여기서 ALD(원자층 박막증착, Atomic Layer Deposition)가 필수 기술이 된다.
ALD는 말 그대로 원자 한 층씩 박막을 쌓는 기술이다. 소스 가스와 반응 가스를 교대로 주입해 기판 표면에 원자 한 층씩 화학 반응으로 박막을 형성한다. 0.1nm 수준의 두께 제어가 가능하고 3D 구조물 표면에도 균일하게 증착된다. 3D 낸드, 차세대 D램, 첨단 패키징의 핵심 공정이다.
ALD의 유일한 단점은 속도다. 한 층씩 쌓다 보니 생산성(Throughput)이 낮다. 이것이 ALD 장비 시장의 가장 큰 기술 과제였고, 넥서스비가 공략한 지점이다.
핵심 기술: 공간분할 ALD — 생산성의 한계를 넘다
기존 ALD는 시간분할(Temporal ALD) 방식이다. 소스 가스 주입 → 퍼지(배기) → 반응 가스 주입 → 퍼지를 반복한다. 이 네 단계를 수백~수천 번 반복해야 원하는 두께의 박막이 된다. 시간이 오래 걸린다.
넥서스비의 공간분할(Space Divided) ALD는 다르다. 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리해 고정 배치하고, 기판을 이동시키며 연속으로 증착한다. 기판이 소스 가스 구역 → 퍼지 구역 → 반응 가스 구역 → 퍼지 구역을 순서대로 통과하면서 한 층씩 쌓인다. 이 순환을 고속으로 반복해 생산성을 대폭 높인다.
여기에 넥서스비 독자 기술인 가스 인젝팅(Gas Injecting) 기술이 결합됐다. 가스 유량·압력·분포를 정밀 제어해 박막 균일도를 높이면서 생산성을 유지하는 것이 핵심이다.
추가 기술 차별화
- 세계 최초 상압(대기압) 환경 롤투롤(R2R) ALD: 진공 챔버 없이 대기압 환경에서 롤 형태 기판에 ALD를 적용. 페로브스카이트 태양전지·플렉서블 소자 양산의 핵심 공정
- Mixed ALD (전력반도체용): 시분할과 공간분할을 혼합한 방식으로 전력반도체용 특수 박막 형성
제품 포트폴리오
| 제품 | 용도 | 특징 |
|---|---|---|
| Plaminar | 연구용 ALD 시스템 | 공정 기술 단순화, 다양한 연구 환경 연동 가능 |
| T-Max | 반도체용 ALD 장비 | 고생산성 공간분할 방식, 차세대 D램·낸드 공정용 |
| S-Max | 대면적 디스플레이·태양전지용 | OLED·페로브스카이트 태양전지 대면적 증착 |
수익 모델
| 구분 | 내용 |
|---|---|
| 연구용 장비 판매 | 국내외 대학·연구기관 대상 (누적 80여 곳) |
| 반도체용 장비 판매 | 반도체 제조사·부품사 대상 (프리미엄 단가) |
| 대면적 장비 판매 | 디스플레이·태양전지 제조사 대상 |
| 장비 공동 개발 | 대기업·글로벌 장비사와 기술 협력 |
| 국가 R&D 수주 | 산업부·과기정통부 과제 (ALD·실리콘 커패시터 등) |
운영 현황 & 주요 성과
국내외 80여 개 대학·연구기관 장비 공급 — 선순환의 시작
넥서스비가 국내외 80여 개 대학·연구기관에 연구용 ALD 장비를 공급했다. 이 숫자가 단순한 판매 실적을 넘는 이유가 있다.
연구기관에서 ALD 장비를 쓰는 연구자들은 훗날 대기업 반도체·소재·장비 회사의 엔지니어가 된다. 그들이 학교에서 쓴 장비가 넥서스비 장비다. 이 연구자들이 기업에 취직한 후 양산 장비를 발주할 때 넥서스비가 자연스러운 후보가 된다.
"연구 장비 공급을 통해 향후 양산 장비 수주로 연결되는 선순환 구조"라고 업계 관계자가 표현한 것이 이것이다.
성장 축 3가지
성장축 1: 반도체·실리콘 커패시터 (핵심)
3D 낸드, 차세대 D램, 첨단 패키징에서 ALD 수요가 폭발적으로 증가하고 있다. 특히 HBM(고대역폭 메모리)과 AI 반도체의 핵심 부품인 실리콘 커패시터 공정이 유망하다.
실리콘 커패시터는 기존 적층 세라믹 커패시터(MLCC)보다 소형화·고집적화가 유리해 AI 반도체·HBM 패키지에 필수 부품이 되고 있다. 넥서스비는 삼성전자·삼성전기 공급망을 목표로 산업부 과제를 수행 중이다. 이 과제에서 성공하면 HBM·AI 반도체용 초박형 커패시터 생산 공정에 필요한 ALD 장비 공급이 가능해진다.
성장축 2: 페로브스카이트 태양전지
페로브스카이트 태양전지는 실리콘 태양전지 대비 변환 효율이 높고 제조 비용이 낮아 차세대 태양전지로 주목받는다. ALD는 페로브스카이트 태양전지의 계면층(Interfacial Layer) 형성에 핵심 공정이다. 넥서스비의 상압 R2R ALD 기술이 이 시장을 공략하는 무기다. 2026년 시범 장비 공급과 데모를 거쳐, 2027년 이후 양산 매출 발생이 예상된다.
성장축 3: 글로벌 장비사와 클러스터형 차세대 장비 공동 개발
현재 글로벌 장비업체 1곳과 클러스터형 차세대 ALD 장비를 공동으로 개발 중이다. 클러스터형 장비는 여러 공정 모듈을 하나의 시스템으로 통합한 고부가 장비다. 개발 성공 시 2028년부터 양산 공급으로 이어질 가능성이 있다. 넥서스비는 이 협력을 가장 중요한 성장 동력 중 하나로 보고 있다.
성공 포인트 & 벤치마킹 인사이트
1. "연구용 → 양산용" 장비의 선순환 전략
중요도: 상
반도체 장비 스타트업이 대기업 고객을 확보하기 어려운 이유가 있다. 아무리 기술이 좋아도, 검증되지 않은 장비를 생산 라인에 넣을 수 없다. 리스크가 너무 크다.
넥서스비가 이 문제를 풀기 위해 선택한 경로가 연구기관 우선 공급이다. 연구기관은 생산 라인보다 새로운 장비를 시험해볼 가능성이 높다. 여기서 쌓은 레퍼런스가 양산 장비 영업의 기반이 된다.
80여 개 연구기관에 장비를 공급한 넥서스비는 이제 "국내외 대기업 고객군"과 "일부 대기업과의 공동 개발"을 공개할 수 있는 단계가 됐다. 10년이 걸린 이 경로가 대기업 공급 레퍼런스의 진입 장벽을 낮췄다.
💡 교훈: B2B 딥테크에서 "첫 번째 고객층"의 선택이 이후 영업 경로를 결정한다. 대기업 직접 공략이 어렵다면 그 대기업의 공급망이 연결된 연구기관·스타트업·중소기업부터 시작하라.
2. 공간분할 ALD — 시장의 가장 큰 문제를 기술로 해결한다
중요도: 상
넥서스비가 공략한 ALD 시장의 핵심 문제는 "속도가 느리다"는 것이다. 이 문제가 해결되지 않으면 ALD는 생산 라인에서 병목이 된다.
공간분할 방식으로 이 문제를 해결하는 접근은 넥서스비만의 것이 아니다. 글로벌 대기업 ASM International, Applied Materials 등도 공간분할 ALD를 연구한다. 그런데 소형 스타트업이 이 기술에서 경쟁력을 갖추는 것이 가능한 이유가 있다. 응용 분야별·장비 크기별 최적화가 필요하기 때문이다.
넥서스비의 연구용 Plaminar, 반도체용 T-Max, 대면적 S-Max가 각각 다른 시장을 공략하는 것이 이 전략이다. 하나의 표준 장비가 아닌 응용 분야에 맞춤화된 장비 포트폴리오를 갖추는 것이다.
💡 교훈: 장비 시장에서 대기업이 범용 솔루션을 만들 때, 스타트업은 특정 응용 분야에 특화된 솔루션으로 틈새를 공략할 수 있다. "어떤 응용 분야에 가장 최적화된 장비인가"를 명확히 정의하라.
3. 반도체 → 태양전지 → AI 커패시터 — 하나의 기술로 세 시장을 공략
중요도: 중
넥서스비의 ALD 기술이 반도체, 페로브스카이트 태양전지, 실리콘 커패시터 세 가지 성장하는 시장에 동시에 적용된다.
이 세 시장은 모두 "초박막 정밀 증착"이라는 ALD의 핵심 역량이 필요하다. 하나의 기술 플랫폼이 산업 다변화를 가능하게 한다. 반도체 사이클이 나쁠 때 태양전지 수요가 받쳐주고, 페로브스카이트 상용화가 늦어질 때 AI 커패시터 수요가 보완한다.
투자자들이 "장비 개발·운전 자금 숨통"이라고 표현한 것은 이 다변화 전략이 현금 흐름을 더 안정적으로 만든다는 의미다.
💡 교훈: 딥테크 장비 기업에서 하나의 핵심 기술을 여러 산업에 적용하는 것이 단일 고객·산업 의존도를 낮추는 가장 현실적인 방법이다. "이 기술이 어떤 다른 산업의 어떤 문제를 해결하는가"를 처음부터 확장 로드맵에 넣어라.
4. 전북 연구소기업 → 용인·화성 생산시설 — 지방 딥테크 창업의 경로
중요도: 중
넥서스비는 전북특구본부 연구소기업으로 시작했다. 전북 전주에서 창업해 10년 만에 용인·화성에 생산시설을 갖췄다. 수도권 중심의 반도체 장비 생태계에서 지방 출발 스타트업이 성장하는 과정이다.
이 경로가 가능했던 것은 처음에 연구용 장비로 대학·연구기관을 고객으로 삼은 것과 연관된다. 전국의 대학 연구실을 고객으로 하는 사업은 위치가 수도권일 필요가 없다. 이 단계에서 기술력을 증명하고 나서, 수도권 반도체 제조사를 공략하는 생산시설을 용인·화성에 구축했다.
💡 교훈: 딥테크 창업에서 초기 타겟 고객이 지리적 위치를 덜 타는 고객(연구기관 등)이라면, 굳이 비싼 수도권에서 시작할 필요가 없다. 기술이 증명되고 난 후 수도권 생산거점을 확보하는 순서가 오히려 자금 효율이 높다.
창업자/예비창업자를 위한 핵심 교훈
추천사항 (DO's)
1. 연구용 장비로 시작해 레퍼런스를 쌓고 양산 장비로 확장하라
- 80여 개 연구기관 레퍼런스가 대기업 고객 공략의 기반이 됐다.
2. 하나의 핵심 기술로 여러 산업을 공략하는 포트폴리오를 설계하라
- ALD 기술로 반도체·태양전지·AI 커패시터 세 시장을 커버한다.
3. 시장의 가장 큰 기술 한계(생산성)를 해결하는 것이 차별화다
- 공간분할 ALD가 "속도가 느리다"는 ALD의 핵심 한계를 해결했다.
4. 글로벌 장비사와 공동 개발 파트너십이 신뢰를 만든다
- 글로벌 장비업체와의 클러스터형 장비 공동 개발이 기술력 검증이자 영업 채널이다.
주의사항 (DON'Ts)
1. 반도체 장비 시장은 고객사 투자 사이클에 크게 의존한다
- 삼성·SK하이닉스의 설비 투자 사이클이 나빠지면 장비 수주가 크게 줄 수 있다. 태양전지·AI 커패시터 다변화가 이 리스크를 낮추는 전략이다.
2. 양산 장비 수주까지의 리드타임이 길다
- 연구용 장비 공급 → 파일럿 라인 적용 → 양산 채택까지 수년이 걸린다. 이 기간을 버티는 자금 계획이 핵심이다.
투자자 코멘트
업계 관계자 (연합인포맥스 보도)
"현재 국내외 80여 개 대학과 연구기관에 장비를 공급하고 있습니다. 연구 장비 공급을 통해 향후 양산 장비 수주로 연결되는 선순환 구조를 기대하고 있습니다."
창업자 명언
최학영 넥서스비 대표
"D램 제조 핵심 장비인 원자층증착(ALD) 장비 개발 과정에서 결과지를 봐도 왜 성능이 안 나오는지 알 수 없었습니다."
이 솔직한 회고가 넥서스비의 기술 개발 과정을 담는다. SK하이닉스·매그나칩에서 반도체 공정 전문가로 일했어도, 직접 장비를 만드는 것은 처음부터 다시 시작하는 일이었다. 이 실패의 경험들이 지금의 공간분할 ALD 기술을 만들었다.
향후 계획
단기 목표
- 페로브스카이트 태양전지 시범 장비 공급·데모 — 2026년 내 완료
- 실리콘 커패시터 산업부 과제 수행 — 삼성전자·삼성전기 공급망 진입 준비
- 글로벌 장비사 클러스터형 공동 개발 — 2028년 양산 공급 목표 유지
- 차세대 장비 개발 가속 — 이번 투자금 집중 투입
중장기 비전
| 성장축 | 목표 |
|---|---|
| 반도체 | 차세대 D램·낸드·HBM 공정 ALD 장비 대기업 양산 공급 |
| 페로브스카이트 | 2027년 이후 양산 매출 발생 |
| 실리콘 커패시터 | HBM·AI 반도체용 초박형 커패시터 공정 장비 시장 진입 |
| 글로벌 | 글로벌 장비사 클러스터형 장비 공동 개발 완료 후 글로벌 공급 |
예비창업자를 위한 종합 인사이트
넥서스비가 주는 가장 큰 교훈
1. "시장의 핵심 기술 한계를 풀면 시장이 스스로 찾아온다"
ALD의 생산성 한계를 공간분할 방식으로 해결했다. 반도체가 계속 미세화될수록 ALD 수요는 늘어나고, 생산성 높은 ALD 장비에 대한 수요는 더 커진다. 기술이 해결해야 할 문제가 시장의 가장 큰 병목인지를 먼저 확인하라.
2. "연구기관 → 대기업의 선순환이 딥테크 장비 창업의 현실적 경로다"
대기업에 처음부터 팔려 하지 말고, 대기업의 미래 엔지니어들이 있는 연구실에 먼저 팔아라. 10년이 걸렸지만 이 경로가 넥서스비를 글로벌 장비사와 공동 개발하는 기업으로 만들었다.
📊 투자 포인트 정리
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 투자 규모 | 시리즈C 150억원 (산업은행·산은캐피탈+안다아시아벤처스+신영증권·티인베스트먼트·플래티넘기술투자·IBK기업은행) |
| 핵심 경쟁력 | 공간분할 ALD 독자 기술, 상압 R2R ALD 세계 최초, 국내외 80여 개 연구기관 레퍼런스 |
| 비즈니스 모델 | 연구용·반도체용·대면적 ALD 장비 판매 + 대기업 공동 개발 + 국가 R&D 과제 |
| 트랙션 | 80여 개 대학·연구기관 공급, 대기업 고객군 확보, 글로벌 장비사 클러스터형 공동 개발 진행 중 |
| 향후 전망 | 실리콘 커패시터(HBM·AI반도체), 페로브스카이트 태양전지, 클러스터형 장비 2028년 양산 공급 |
성공 요인:
- 공간분할 ALD + Gas Injecting 독자 기술 — 시장 최대 한계(생산성) 해결
- 연구용 → 양산용 선순환 전략 — 80여 개 연구기관이 대기업 레퍼런스의 기반
- 반도체·태양전지·AI 커패시터 3축 다변화 — 단일 산업 의존 리스크 분산
- 글로벌 장비사 공동 개발 — 기술 신뢰 + 2028년 양산 채널 확보
- 전북 연구소기업 출신 — 연구 DNA와 실용화 역량의 결합
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